Al_2O_3沉积功率对共溅射Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管性能的影响

作     者：武明珠 郭永林 苟昌华 关晓亮 王红波 WU Ming-zhu;GUO Yong-lin;GOU Chang-hua;GUAN Xiao-liang;WANG Hong-bo

作者机构：吉林大学电子科学与工程学院吉林长春130012 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61275033) 

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2015年第23卷第23期

页      码：183-185,189页

摘      要：我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶AZTO(Al-Zn-SnO)薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过率均在85%以上。然后,制备了以AZTO薄膜为有源层的薄膜晶体管。通过调节Al2O3沉积功率,进一步探究了Al2O3含量对AZTO薄膜晶体管性能的影响。研究发现,随着Al2O3沉积功率的增加,器件的迁移率逐渐下降,阈值电压升高,但是器件的关态电流显著降低,开关比提高。当Al2O3沉积功率为20 W时,获得了最好的转移特性曲线,其迁移率为2.43 cm2/V·s,开关比为1.9*105,阈值电压为26.6 V。

主 题 词：薄膜晶体管 AZTO 共溅射 沉积功率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.14022/j.cnki.dzsjgc.2015.23.057

馆 藏 号：203305314...