InP基HEMT栅槽设计和研究

作     者：武利翻 苗瑞霞 WU Lifan;MIAO Ruixia

作者机构：西安邮电大学电子工程学院陕西710121 

基　　金：国家自然科学基金青年基金项目(51302215) 陕西省教育厅科研计划项目资助(17JK0698) 

出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)

年 卷 期：2018年第35卷第8期

页      码：10-12页

摘      要：In P基HEMT器件制作中,栅槽刻蚀工艺是形成良好的肖特基接触栅的关键工艺。针对这一问题,研究了用丁二酸和H_2O_2混合液作为In P基HEMT器件栅槽腐蚀液,确定栅槽完全腐蚀并获得较好的表面平整度的最优时间。首先用单片In Ga As和单片In Al As材料进行单步腐蚀,最终得到腐蚀液对这两种材料的腐蚀速度;其次对In P基HEMT器件外延材料进行光刻,对光刻后图形进行20 s,40 s,60 s的腐蚀。同时采用光学显微镜观察腐蚀图形,利用电流监控法确定腐蚀形成HEMT器件的栅槽腐蚀时间,并通过原子力显微镜(AFM)进行表面平整度观察,最终得到60 s的腐蚀时间的特性较好,进而确定为栅槽形成的最优腐蚀时间是60 s。

主 题 词：InPHEMT 化学湿法腐蚀 腐蚀时间 表面粗糙度 AFM 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19339/j.issn.1674-2583.2018.08.003

馆 藏 号：203307103...