一种CMOS工艺兼容的PMOS管红外探测器

作     者：王明照 于峰崎 高淑琴 WANG Ming-zhao;YU Feng-qi;GAO Shu-qin

作者机构：吉林大学物理学院吉林长春130023 苏州中科集成电路设计中心江苏苏州215021 

出 版 物：《传感技术学报》 (Chinese Journal of Sensors and Actuators)

年 卷 期：2006年第19卷第5A期

页      码：1717-1720页

摘      要：二极管连接的MOS管以恒定电流偏置时,栅源电压与温度成线性关系.其温度变化率与偏置电流和MOS管的宽长比等因素有关.对此做理论分析的基础上,用Hspice进行了仿真.当取偏置电流为60μA,MOS管的宽长比为2/2时,仿真得到的栅源电压温度变化率为2.13mV/K.基于此温度特性,提出用PMOS管作为红外探测敏感元件,利用标准CMOS工艺,结合体硅加工技术制作红外探测器的方法,并将PMOS管串联以进一步增加探测器的灵敏度.

主 题 词：红外探测器 CMOS工艺 MOSFET 温度效应 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.107

馆 藏 号：203309359...