基于负电容补偿技术的CMOS低噪声放大器设计

作     者：舒应超 赵吉祥 李云峰 SHU Yingchao;ZHAO Jixiang;LI Yunfeng

作者机构：中国计量学院信息工程分院杭州310018 

基　　金：浙江省自然科学基金资助项目"无线通信系统无源互调产生机理及测试方法研究"(Y1110082) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2012年第42卷第3期

页      码：318-322,326页

摘      要：利用负电容电路补偿技术,设计了一个工作于2.4GHz频段的差分低噪声放大器。基于CHRT 0.25μm RF CMOS工艺,对电路进行仿真。与传统的共源共栅结构相比,引入负电容电路对共源管的栅漏寄生电容进行补偿,可以使放大器的匹配度、噪声系数、线性度等关键性能指标得到显著改善。仿真结果显示,该放大器的正向功率增益为17.7dB,噪声系数为1dB,IIP3为-4.9dBm,功耗为25mW,具有良好的输入输出匹配。

主 题 词：低噪声放大器 负电容电路 CMOS 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2012.03.006

馆 藏 号：203310639...