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硅中介层中高速互连的优化设计

硅中介层中高速互连的优化设计

作     者:莫宁基 关宁 蒋剑飞 王琴 MO Ning-ji;GUAN Ning;JIANG Jian-fei;Wang Qin

作者机构:上海交通大学电子信息与电气工程学院上海200240 上海航天电子通讯设备研究所上海201108 

基  金:航天基金(SAST804-201507) 

出 版 物:《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期:2018年第35卷第8期

页      码:21-25页

摘      要:基于硅中介层的新型集成方法可以实现高速光电互连,其中的互连设计面临信号完整性的挑战.为适应硅中介层中高速光电互连的需求,本文对高速差分互连线设计,提出采用交叉的设计方法来提高传输信噪比.基于电磁场仿真工具,对于差分互连线进行建模与仿真,仿真结果表明本文提出的采用交叉的差分互连线具有显著的串扰抑制作用.本文还对互连线的尺寸和交叉位置提出进一步的优化设计方法,进一步改进了互连性能.仿真结果表明,本文中提出的设计方法,可以用来改进硅中介层的高速互连线设计.

主 题 词:硅中介层 高速互连 串扰抑制 优化设计 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2018.08.005

馆 藏 号:203314012...

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