局部背接触结构单晶Si太阳电池的研究

作     者：励旭东 何少琪 LI Xu-dong;HE Shao-qi

作者机构：北京市太阳能研究所北京100083 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2007年第18卷第2期

页      码：184-186页

摘      要：报道了采用局部背接触结构的激光刻槽埋栅太阳电池的研究结果。模拟分析了局部背接触结构的作用,设计了合理的电池结构。通过工艺优化,得到了转换效率达到17.28%(大气质量AM=1.5G,VOC=650.4mV,JSC=33.15mA/cm2,FF=0.8014,电池面积为4cm2)的太阳电池。

主 题 词：激光刻槽埋栅太阳电池 局部背接触结构 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080502[080502] 0805[工学-能源动力学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1005-0086.2007.02.015

馆 藏 号：203316892...