InP基长波长单片集成光接收前端的设计和制备

作     者：李轶群 崔海林 苗昂 吴强 黄辉 黄永清 任晓敏 LI Yi-qun;CUI Hai-lin;MIAO Ang;WU Qiang;HUANG Hui;HUANG Yong-qing;REN Xiao-min

作者机构：北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室北京100876 

基　　金：国家"973"计划资助项目(2003CB314900) 国家"863"计划资助项目(2006AA03Z416) 国家自然科学基金资助项目(60576018) 国际科技合作重点项目计划项目(2006DFB11110) 北京市教育委员会共建项目(XK100130637) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2007年第28卷第6期

页      码：843-846页

摘      要：叙述了利用InP基长波长pin光探测器和异质结双极晶体管(HBT)单片集成实现光接收前端的设计和制备方法。pin光探测器和HBT采用共享层结构,这样的结构不仅性能优于堆叠层结构,而且制备工艺兼容。制备的HBT截止频率达到30 GHz,pin光探测器的3 dB带宽达到了15 GHz,集成光接收前端的3 dB带宽达到3 GHz,跨阻放大倍数达到800。

主 题 词：光电集成 光接收前端 HBT pin光探测器 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-5868.2007.06.024

馆 藏 号：203317135...