亚微米CMOS结构光学交叉互连电路芯片的设计

作     者：刘三清 温金桃 应建华 LIU San-Qing;WEN Jin-Tao;YING Jian-Hua

作者机构：华中理工大学电子科学与技术系 

基　　金：国家科委"八六三"计划九五课题 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：1999年第29卷第3期

页      码：200-203页

摘      要：同单路光接收／发送电路系统相比，采用单片集成的多路交叉互连接收／发送系统可实现大容量信息交换和高度复杂的信息处理。给出了与１０×１０阵列多量子阱（ＭＱＷ）器件芯片倒扣连接的接收／发送交叉互连电路的设计，芯片电路采用０．３５／０．５μｍ设计规则、三层金属布线ＣＭＯＳ结构，在２ｍｍ×２ｍｍ芯片上，可完成１６路接收／发送及１６×１６信号交叉互连的功能。

主 题 词：亚微米器件 CMOS 交叉互连 结构 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.1999.03.013

馆 藏 号：203318282...