基于0.18 μm BiCMOS工艺的2 GS/s采保放大器

作     者：张翼 刘中华 郭宇锋 孟桥 李晓鹏 张有涛 ZHANG Yi;LIU Zhonghua;GUO Yufeng;MENG Qiao;LI Xiaopeng;ZHANG Youtao

作者机构：射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京210023 毫米波国家重点实验室南京210096 南京邮电大学电子与光学工程学院/微电子学院南京210023 江苏亨鑫科技有限公司博士后工作站江苏宜兴214222 东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京210016 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61571235 61504065) 毫米波国家重点实验室开放课题(K201727) 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室开放课题(KFJJ20170203) 南京邮电大学科学研究基金项目(NY215138) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2018年第48卷第4期

页      码：471-474,479页

摘      要：基于华虹0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种2GS/s超高速采保放大器。分析了二极管桥和开关射极跟随结构的优缺点,采用了开关射极跟随结构。增加了前馈电容,以消除保持模式下的信号馈通。后仿真结果表明,该采保放大器的信噪失真比(SNDR)在奈奎斯特频率下均大于51.7dB,核心电路的功耗为29.2mW,时钟缓冲电路的功耗为7mW。该采保放大器的性能良好。

主 题 词：采保放大器 开关射极跟随 前馈电容 BiCMOS 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.170486

馆 藏 号：203318506...