一种CMOS带隙基准源的设计与仿真

作     者：谢应孝 单海校 刘国平 

作者机构：浙江海洋学院机电工程学院浙江舟山316000 

出 版 物：《福建电脑》 (Journal of Fujian Computer)

年 卷 期：2012年第28卷第2期

页      码：162-163,100页

摘      要：分析了传统带隙基准源的基本原理,并在此基础上一款CMOS带隙基准源电路。该电路基于UMC0.18μm CMOS工艺设计,利用cadence软件进行仿真。仿真结果表明,CMOS带隙基准源稳定输出电压1.22V,该电路在温度从-50-100℃进行扫描,其变化率为10.7ppm/℃,电源电压在1.7V-1.9V范围内发生变化时帯隙基准源输出电压变化很小。

主 题 词：带隙基准源 CMOS 温度系数 

学科分类：08[工学] 080203[080203] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1673-2782.2012.02.075

馆 藏 号：203319060...