三输入高性能AND/XOR复合门电路设计

作     者：黄春蕾 王伦耀 梁浩 夏银水 HUANG Chunlei;WANG Lunyao;LIANG Hao;XIA Yinshui

作者机构：宁波大学电路与系统研究所浙江宁波315211 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61131001 61228105 61471211) 教育部博士点基金资助项目(20113305110001) 宁波市自然科学基金资助项目(2013A610009) 

出 版 物：《浙江大学学报（理学版）》 (Journal of Zhejiang University（Science Edition）)

年 卷 期：2015年第42卷第3期

页      码：310-315页

摘      要：针对现有"与/异或"(AND/XOR)复合门级联设计电路存在功耗大、延时长等不足,提出一种基于晶体管级的三输入AND/XOR复合门电路结构.通过采用多轨结构、缩短传输路径以及混合CMOS逻辑设计方法,克服了原有电路中单一逻辑和单轨结构信号路径长的不足,进而提高了电路性能.在55nm的CMOS技术工艺和PTM多种工艺下,经过HSPICE模拟和Cadence提取版图的后仿真,显示所设计的电路具有正确的逻辑功能,相较于采用门电路级联而成的AND/XOR电路,本电路在不同负载、频率和PVT组合等情况下的延时、功耗和功耗延迟积(PDP)都得到了明显改善.

主 题 词：与/异或 混合CMOS逻辑 多轨结构 功耗延迟积 晶体管级 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3785/j.issn.1008-9497.2015.03.013

馆 藏 号：203320504...