一种紧缩型的SOI3- d B多模干涉耦合器(英文)

作     者：严清峰 余金中 刘忠立 Yan Qingfeng;Yu Jinzhong;Liu Zhongli

作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所微电子中心北京100083 

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :69990 5 40 698962 60 ) 国家重点基础研究发展规划 (编号 :G2 0 0 0 0 3 66)资助项目~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2003年第24卷第2期

页      码：133-136页

摘      要：采用线锥形结构 ,在 silicon- on- insulator(SOI)材料上设计并实现了一种新的紧缩型 3- d B多模干涉耦合器(MMI) .与普通的矩形结构 3- d B MMI耦合器相比 ,该器件长度减少了 4 0 % .耦合器输出均衡度为 1.3d B,过剩损耗为 2 .5 d B.

主 题 词：多模干涉耦合器 线锥形波导 SOI 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2003.02.005

馆 藏 号：203321116...