三温区坩埚下降法生长Cd_(1-x)Zn_xTe单晶体

作     者：邱春丽 赵北君 朱世富 王智贤 李新磊 何知宇 陈宝军 唐世红 QIU Chun-li;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;WANG Zhi-xian;LI Xin-lei;HE Zhi-yu;CHEN Bao-jun;TANG Shi-hong

作者机构：四川大学材料科学与工程学院四川成都610064 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60276030) 教育部博士点基金资助项目(20020610023) 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2009年第40卷第1期

页      码：60-62页

摘      要：CdZnTe晶体是一种性能优异的室温核辐射探测器材料。在熔体法生长CdZnTe晶体的过程中，生长炉的内部温场分布对获得的晶体结构和性能有很大影响。根据CdZnTe晶体的生长习性，设计了三温区单晶炉，用坩埚下降法生长出CdZnTe单晶体。通过X射线衍射、红外透过率、I-V测试等分析研究，得到了红外透过率约为61％，腐蚀蚀坑密度（EPD）为10^4cm^-2，电阻率为10^9～10^10Ω·cm的Cd0.9Zn0．1Te单晶体。表明三温区坩埚下降法生长的单晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高。

主 题 词：CdZnTe 单晶生长 坩埚下降法 三温区 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1001-9731.2009.01.017

馆 藏 号：203325150...