2～4 GHz波段低噪声放大器的仿真设计

作     者：赵玉胜 

作者机构：电子科技大学物理电子学院四川成都610054 

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2012年第20卷第23期

页      码：190-192页

摘      要：利用pHEMT工艺设计了一个2-4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输入输出和级间匹配,通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计,最终使得该LNA在2-4 GHz波段内增益大于20 dB,噪声小于1.2 dB,输出电压驻波比小于2,达到了设计指标的要求。

主 题 词：低噪声放大器 负反馈网络 pHEMT ADS仿真 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-6236.2012.23.063

馆 藏 号：203325194...