退火对直流磁控溅射铬膜附着性的影响

作     者：范洪远 向文欣 李伟 应诗浩 彭倩 沈保罗 

作者机构：四川大学成都610065 中国核动力研究设计院成都610041 

基　　金：核燃料及材料国家重点实验室基金资助 

出 版 物：《核动力工程》 (Nuclear Power Engineering)

年 卷 期：2003年第24卷第2期

页      码：149-152页

摘      要：为了利用铬膜改善锆的抗腐蚀性,研究了退火对Zr-2基体上制备的直流磁控溅射铬膜附着性的影响。使用扫描电镜(SEM)观察了界面形貌及锆、铬的界面分布,用X-射线衍射仪(XRD)分析了膜层的组成,用划痕法测定了铬膜的附着性。结果表明:锆/铬界面结合良好,边界可见;与现有文献比较,获得的铬膜附着性好——均超过20N;溅射后退火使Zr-Cr界面更像扩散界面,但X-射线衍射结果未发现有界面反应产物;退火提高铬膜与Zr-2基体的附着性约50%,扩散附着是附着性增加的主要因素。

主 题 词：退火 直流磁控溅射 铬膜 附着性 

学科分类：080503[080503] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.0258-0926.2003.02.012

馆 藏 号：203325301...