基于0.13μm工艺的低电压CMOS场效应管输出电导
作者机构：西北师范大学物理与电子工程学院兰州730070 兰州大学信息科学与工程学院兰州730070 兰州交通大学机电技术研究所兰州730070
基 金：国家自然科学基金项目(60875015) 西北师范大学知识与科技创新工程项目(NWUN-KJCXGC-03-24)
出 版 物：《吉林大学学报（工学版）》 (Journal of Jilin University:Engineering and Technology Edition)
年 卷 期：2009年第39卷第1期
页 码：229-233页
摘 要：对采用0.13μm工艺(p13)低电压工作条件下的CMOS模拟集成电路设计中场效应管的模型参数输出电导gd进行了研究,给出了设计公式。根据所研究的结果设计了一个两级运算放大器电路并进行了仿真。仿真结果与设计结果吻合得很好,证明了设计公式的有效性。
主 题 词：半导体技术 集成电路 0.13μm工艺 CMOS场效应管 输出电导
学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502]
核心收录：
D O I：10.13229/j.cnki.jdxbgxb2009.01.029
馆 藏 号：203325557...
