应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型

作     者：张志锋 张鹤鸣 胡辉勇 宣荣喜 宋建军 Zhang Zhi-Feng;Zhang He-Ming;Hu Hui-Yong;Xuan Rong-Xi;Song Jian-Jun

作者机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 

基　　金：国家部委预研基金(批准号:51308040203 9140A08060407DZ0103 9140C0905040706)资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2009年第58卷第7期

页      码：4948-4952页

摘      要：在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压与SiGe层掺杂浓度和Ge组分的关系、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系、阈值电压与应变Si层掺杂浓度和厚度的关系.分析结果表明:阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低,随着SiGe层的掺杂浓度的提高而增大;阈值电压随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大,随应变Si层厚度增大而增大.该模型为应变Si器件阈值电压设计提供了重要参考.

主 题 词：应变硅 阈值电压 电势分布 反型层 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.58.4948

馆 藏 号：203326720...