小尺寸应变Si金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流预测模型

作     者：吴铁峰 张鹤鸣 王冠宇 胡辉勇 Wu Tie-Feng;Zhang He-Ming;Wang Guan-Yu;Hu Hui-Yong

作者机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 佳木斯大学信息电子技术学院佳木斯154007 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2011年第60卷第2期

页      码：631-637页

摘      要：小尺寸金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件由于具有超薄的氧化层、关态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的性能,应变硅MOSFET器件也存在同样的问题.为了说明漏电流对新型应变硅器件性能的影响,文中利用积分方法从准二维表面势分析开始,提出了小尺寸应变硅MOSFET栅隧穿电流的理论预测模型,并在此基础上使用二维器件仿真软件ISE进行了仔细的比对研究,定量分析了在不同栅压、栅氧化层厚度下MOSFET器件的性能.仿真结果很好地与理论分析相符合,为超大规模集成电路的设计提供了有价值的参考.

主 题 词：应变硅 准二维表面势 栅隧穿电流 预测模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.60.027305

馆 藏 号：203326721...