基于Si/Si_(1-x)Ge_x/Si异质结双极性晶体管的微波功率器件电流密度的数值拟合计算

作     者：张乒 曾健平 文剑 田涛 ZHANG Ping;ZENG Jian-ping;WEN Jian;TIAN Tao

作者机构：湖南大学应用物理系湖南长沙410082 

出 版 物：《真空电子技术》 (Vacuum Electronics)

年 卷 期：2005年第18卷第1期

页      码：24-27页

摘      要：采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n p n型异质结双极性晶体管,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300K时关于Ge组分变化的方程。并用数值方法计算出集电区电流密度Jc随VBE变化的直流方程,与实验结果相符,并得到一个最佳的Ge组分值。

主 题 词：双极型 异质结双极性晶体管 微波功率器件 si1-xGe 数值方法 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-8935.2005.01.007

馆 藏 号：203327496...