纳米器件阈值电压提取方法

作     者：杨慧 郭宇锋 洪洋 YANG Hui;GUO Yu-feng;HONG Yang

作者机构：江苏省射频集成与微组装工程实验室南京江苏210046 南京邮电大学电子科学与工程学院南京江苏210046 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2014年第20卷第1期

页      码：80-88页

摘      要：阈值电压是MOSFET最重要的电学参数,它在器件模拟和电路设计方面起着举足轻重的作用。本文分析总结了目前比较常用的阈值电压的提取方法,分别利用它们提取了FinFET和JLT不同沟道长度的阈值电压,讨论了这些方法在提取两种现代MOS器件阈值电压时的有效性和局限性。

主 题 词：阈值电压提取 FinFET Junctionless Transistor 

学科分类：08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 

馆 藏 号：203331079...