PtSi／p—Si红外探测器的优化设计与制作

作     者：李国正 李道全 

作者机构：西安交通大学电子工程系 

基　　金：国家863资助项目 

出 版 物：《激光与红外》 (Laser & Infrared)

年 卷 期：1995年第25卷第5期

页      码：46-47页

摘      要：本文对ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ红外探测器的结构进行了优化设计，并研制成功性能优良的器件。反向击穿电压达１８０Ｖ。在７７Ｋ下，反偏４Ｖ的漏电为５×１０－６μＡ，对１．５２μｍ的红外光，量子效率为２．４％。

主 题 词：铂硅红外光 红外探测器 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

馆 藏 号：203331732...