电迁移寿命预警电路设计

作     者：王浩 罗宏伟 陈义强 陈媛 WANG Hao;LUO Hong-wei;CHEN Yi-qiang;CHEN Yuan

作者机构：广东工业大学材料与能源学院广东广州510006 工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广东广州510610 

出 版 物：《电子产品可靠性与环境试验》 (Electronic Product Reliability and Environmental Testing)

年 卷 期：2012年第30卷第B05期

页      码：233-237页

摘      要：提出了一种电迁移寿命的实时预测方法,并在0.18μm CMOS混合信号工艺下完成了预警电路的设计。预警电路与主电路放置在同一芯片上,经历相同的制造工艺和环境参数,任何影响主电路可靠性的因素都将施加在该预警电路上,从而克服了离线测试的局限性,具有实时在线测试的优点。当预警电路中电迁移引起的金属膜电阻器的阻值超过预设的界限时,其输出电平就会发生翻转,发出顶警信号,主电路即将发生失效。

主 题 词：电迁移 可靠性 预兆单元法 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1672-5468.2012.z1.058

馆 藏 号：203334422...