低压恒跨导增益提高CMOS运算放大器的设计

作     者：周欢欢 陈岚 尹明会 吕志强 

作者机构：中国科学研究院微电子研究所北京100029 

基　　金：国家科技重大专项(2009ZX02303-004 2010ZX02201-002-001) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2013年第38卷第9期

页      码：651-655页

摘      要：设计和研究了一种低压恒跨导增益提高互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器。输入级采用互补差分对结构,使共模输入电压范围达到轨到轨,通过3倍电流镜控制尾电流使输入级总跨导恒定。中间级为增益提高级,通过反馈增大输出阻抗提高增益。输出级采用AB类结构,通过米勒补偿控制零点使系统稳定,此运放可用于低压低功耗电子设备中。整个电路用CSMC 0.5μm BCDMOS工艺参数进行设计,工作电压为2.7 V。Spectre仿真结果显示,此运放实现了直流开环增益90 dB(负载电阻R L=600Ω),相位裕度70°,增益带宽积1.4 MHz,静态电流0.18 mA。设计的运算放大器满足设计指标。

主 题 词：互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器 AB类 低压 增益提高 恒跨导 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2013.09.002

馆 藏 号：203335009...