SiC MOSFET开关损耗模型

作     者：董泽政 吴新科 盛况 DONG Ze-zheng;WU Xin-ke;SHENG Kuang

作者机构：浙江大学电气工程学院浙江杭州310027 

基　　金：国家自然科学基金(51522704 51477154) 浙江省杰出青年基金(LR18070001) 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2018年第52卷第8期

页      码：31-33,85页

摘      要：相比于硅(Si)功率器件,碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有耐高温、耐高压、低导通电阻、快速开关等优势,能够极大提升开关速度、减小损耗。传统封装所引入的寄生电感(特别是共源极寄生电感)及SiC MOSFET自身特性参数的非线性现象对于SiC器件的损耗有待进一步评估。针对上述问题提出一种SiC MOSFET的开关损耗模型,并采用热学方法进行了开关损耗的测试。实验结果验证了该模型的准确性,为SiC MOSFET的电路设计提供指导和帮助。

主 题 词：金属氧化物半导体场效应晶体管 封装 开关损耗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203335578...