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采用负反馈结构设计的高性能MOS开关

采用负反馈结构设计的高性能MOS开关

作     者:程亮 Cheng Liang

作者机构:山西经济管理干部学院山西太原030024 

出 版 物:《山西电子技术》 (Shanxi Electronic Technology)

年 卷 期:2015年第1期

页      码:5-6,10页

摘      要:采样保持电路是高速高精度模/数转换器的重要组成部分。采样保持电路中的MOS开关的性能会影响到整个系统的信噪比(SNR)和信号噪声及失真比(SNDR)等各项指标。本文设计的负反馈结构,实现了MOS开关的导通电阻和输入信号无关,同时还采用了电容充放电技术,极大程度上减小了开关在采样过程中对信号的影响。

主 题 词:采样保持电路 负反馈结构 MOS开关 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.3969/j.issn.1674-4578.2015.01.002

馆 藏 号:203335763...

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