宽温范围高温度稳定性曲率互补电压基准设计

作     者：赵永瑞 吴洪江 卢东旭 田国平 Zhao Yongrui;Wu Hongjiang;Lu Dongxu;Tian Guoping

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 专用集成电路重点实验室石家庄050051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2015年第40卷第6期

页      码：426-430页

摘      要：针对当前射频系统中电源管理芯片在宽温度范围下对带隙基准稳定性的较高要求,提出了一种新型互补带隙基准电路结构,通过将带隙基准与MOS弱反型区基准的温度系数曲率互补叠加,实现了极宽温度范围内带隙电压基准的高温度稳定性输出。采用0.35μm CMOS工艺对所设计的电路进行了流片验证,测试结果表明,基准电压源工作电压为5 V时,输出基准电压1.28 V,在-55-125℃温度范围内,温度系数可达4.5×10^-6/℃,频率1 k Hz时,电源抑制比（PSRR）可达-60 dB,100 kHz时,PSRR可达-55 dB,电压基准源芯片面积为0.22 mm×0.15 mm。

主 题 词：宽温度范围 带隙基准 温度稳定性 曲率互补 温度系数 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.06.005

馆 藏 号：203335863...