槽栅槽源SOI LDMOS器件结构设计与仿真

作     者：石艳梅 刘继芝 姚素英 丁燕红 张卫华 Shi Yanmei;Liu Jizhi;Yao Suying;Ding Yanhong;Zhang Weihua

作者机构：天津大学电子信息工程学院天津300072 天津理工大学电子信息工程学院天津300384 电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054 

基　　金：国家自然科学基金(51101113) 天津市自然科学基金(13JCQNJC) 

出 版 物：《南开大学学报（自然科学版）》 (Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Nankaiensis)

年 卷 期：2015年第48卷第3期

页      码：49-53页

摘      要：为了提高SOI(silicon on insulator)器件的击穿电压,同时降低器件的比导通电阻,提出一种槽栅槽源SOI LDMOS(lateral double-diffused metal oxide semiconductor)器件新结构.该结构采用了槽栅和槽源,在漂移区形成了纵向导电沟道和电子积累层,使器件保持了较短的电流传导路径,同时扩展了电流在纵向的传导面积,显著降低了器件的比导通电阻.槽栅调制了漂移区电场,同时,纵向栅氧层承担了部分漏极电压,使器件击穿电压得到提高.借助2维数值仿真软件MEDICI详细分析了器件的击穿特性和导通电阻特性.仿真结果表明:在保证最高优值的条件下,该结构的击穿电压和比导通电阻与传统SOI LDMOS相比,分别提高和降低了8%和45%.

主 题 词：槽栅槽源 绝缘体上硅(SOI) 比导通电阻 击穿电压 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

馆 藏 号：203335905...