硅霍尔器件在弱磁场下的应用研究

作     者：齐秋群 马宏 

作者机构：北京理工大学 

出 版 物：《传感器技术》 (Journal of Transducer Technology)

年 卷 期：1992年第11卷第4期

页      码：29-31页

摘      要：研究了硅霍尔器件噪声与工作电流、频率等参数的关系,给出了在弱磁场时提高霍尔器件检测能力和增大信噪比的措施以及前置放大系统的设计原则。上述结论具有重要的实际意义。

主 题 词：霍尔器件 噪声 倍噪比 磁场 传感器 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

核心收录：

D　O　I：10.13873/j.1000-97871992.04.008

馆 藏 号：203336404...