高速亚微米LDDE/D门的研究

作     者：余山 章定康 黄敞 

作者机构：航空航天部骊山微电子学研究所 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：1992年第9卷第2期

页      码：47-48,F003页

摘      要：本文分析了基本上按1μm、2μm、3μm、4μm设计规则设计的轻掺杂漏(LDD)E/D门的门延迟,提出了设计与制造高速LDDE/D电路的基本思想。

主 题 词：LDD-E/D门 门延迟 电路 设计 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.1992.02.014

馆 藏 号：203336792...