高性能976 nm宽条半导体激光芯片

作     者：胡海 仇伯仓 何晋国 汪卫敏 赵楚中 刘文斌 邝朗醒 白雪 Hu Hai;Qiu Bocang;He Jinguo;Wang Weimin;Zhao Chuzhong;Liu Wenbin;Kuang Langxing;Bai Xue

作者机构：深圳清华大学研究院广东深圳518057 深圳瑞波光电子有限公司广东深圳518055 广东省光机电一体化重点实验室广东深圳518057 

基　　金：国家863计划(2015AA016901) 广东省引进创新科研团队项目(2011D040) 深圳市孔雀计划(KQTD201106) 深圳市技术攻关项目(重20160165) 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2018年第45卷第8期

页      码：31-35页

摘      要：设计并制作了波长为976nm的宽条大功率半导体激光芯片。采用非对称宽波导外延结构设计及金属有机化学气相外延技术生长了低损耗、高效率的外延材料。制备了190μm发光区宽度、4mm腔长、976nm波长的半导体激光芯片,并将其封装为COS器件。测试结果表明:封装器件在室温下的阈值电流为1.05 A,斜率效率为1.12 W/A,最高电光转换效率可达到68.5%;在40℃、19.5 W功率输出时的电光转换效率可以达到60%;9个器件在40℃和15A电流下老化4740h后,无一失效,而且老化前后的功率-电流曲线和光谱没有变化,证明该激光芯片具极高的稳定性和可靠性。

主 题 词：激光器 半导体激光器 电光转换效率 亮度 腔面灾变功率 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/CJL201845.0801006

馆 藏 号：203337768...