VDMOS高温反偏漏电流稳定性技术攻关

作     者：陈骞 丁文华 习毓 刘琦 单长玲 

作者机构：西安卫光科技有限公司陕西西安710065 

出 版 物：《科学技术创新》 (Scientific and Technological Innovation)

年 卷 期：2018年第25期

页      码：185-186页

摘      要：VDMOS产品在高温反偏试验过程中,经常出现耐压和漏电流失效或不稳定的现象。对Si-Si O2系统中四种基本形式的电荷或能态以及高温反偏主要失效机理进行了分析,同时针对200V塑封VDMOS器件高温漏偏试验过程中漏源漏电IDSS增大且不稳定的现象,通过器件终端结构设计的改进,解决了此问题。终端改进后的产品在150℃、1000小时的高温漏偏试验过程中未发生漏源漏电IDSS增大的问题,试验后常温测试产品漏源漏电IDSS在90n A左右。

主 题 词：高温反偏 漏源漏电 终端结构 截止环 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203337768...