GeSi/Si异质结红外探测器结构参数设计

作     者：闫应星 高新江 

作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2000年第21卷第A3期

页      码：46-48页

摘      要：文章对分子束外延的GeSi/Si异质结红外探测器关键参数进行了分析研究 ,采用经典理论对器件结构参数进行了计算 ,结果与实验数据吻合。

主 题 词：红外探测器 异质结 结构参数设计 硅 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2000.s1.011

馆 藏 号：203703904...