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1.55μm短腔垂直腔面发射激光器的优化设计

1.55μm短腔垂直腔面发射激光器的优化设计

作     者:王志燕 贾护军 毛周 李泳锦 成涛 裴晓延 孙哲霖 

作者机构:西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室.西安710071 

基  金:国家部委基金项目(51323030306) 

出 版 物:《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期:2014年第35卷第1期

页      码:39-42页

摘      要:设计了一种基于InP衬底的1.55μm短腔垂直腔面发射激光器(VCSEL),先从结构上对上下反射镜进行了优化设计,然后重点对谐振腔的腔长进行了优化,采用1λ短腔结构,用Matlab软件进行了仿真,结果表明:优化后的VCSEL器件的输出功率为2.22mW,饱和松弛响应频率fR,sat为34.5GHz,最大-3dB带宽为30.5GHz,与目前此波段的最大带宽(19GHz)相比,提高了约60%。

主 题 词:垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 谐振腔 -3 dB带宽 

学科分类:0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D O I:10.16818/j.issn1001-5868.2014.01.010

馆 藏 号:203340024...

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