60GHz高增益宽带单片集成低噪声放大器

作     者：侯阳 张健 李凌云 孙晓玮 Hou Yang;Zhang Jian;Li Lingyun;Sun Xiaowei

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:07O7RGJA1001) 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2008年第29卷第7期

页      码：1373-1376页

摘      要：基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计和制作了一款宽带单片集成低噪声放大器.放大器设计采用四级级联的拓扑结构以获得高增益.芯片尺寸2mm×1mm.实测性能指标为：工作频段45-65GHz,增益18±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比小于2.3,直流功耗96mW.在增益、带宽和功耗上达到国际现有产品指标.该芯片可被应用于60GHz宽带无线通信系统.

主 题 词：赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 低噪声放大器 60GHz 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.030

馆 藏 号：203340025...