1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制

作     者：黄永箴 胡永红 于丽娟 陈沁 谭满清 马骁宇 HUANG Yong-zhen;HU Yong-hong;YU Li-juan;CHEN Qin;TAN Man-qing;MA Xiao-yu

作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 

基　　金：国家"863"计划资助项目(2002AA312090) 国家重点基础研究发展规划资助项目(G2000036606) 国家自然科学基金资助项目(602250011) 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2006年第17卷第10期

页      码：1157-1160页

摘      要：研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7°的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10-4时膜厚允许误差为3%。对放大自发发射谱(ASE)和增益谱的分析表明,他们具有基本一致的偏振灵敏度。对一腔长800μm的SOA在注入电流250 mA时,测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0.5 dB,增益谱3 dB带宽为63 nm,1 550 nm处光纤到光纤增益为11.9 dB,3 dB饱和输出功率为5.6 dB,在1 570 nm处的噪声指数为7.8 dB。而一腔长1 000μm SOA耦合封装后得到的最大增益为15 dB。

主 题 词：半导体光放大器(SOA) InGaAsP 增益 抗反射膜 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1005-0086.2006.10.001

馆 藏 号：203340495...