MOCVD生长双有源区AlGaInP发光二极管

作     者：韩军 邢艳辉 李建军 邓军 于晓东 林委之 刘莹 沈光地 HAN Jun;XING Yan-hui;LI Jian-jun;DENG Jun;YU Xiao-dong;LIN Wei-zhi;LIU Ying;SHEN Guang-di

作者机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室北京100022 

基　　金：北京市科委高效高亮度单芯片半导体照明器件的研发与产业化资助项目(D0404003040221) 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2008年第19卷第5期

页      码：591-594页

摘      要：设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管,该发光二极管的两个Al-GaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接。双有源区发光二极管在20 mA注入电流下,主波长为623 nm,峰值波长为633 nm,电压为4.16 V,光强为163 mcd。

主 题 词：红光发光二极管 隧道结 金属有机物化学气相沉积 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1005-0086.2008.05.007

馆 藏 号：203340495...