三维循序集成CMOSFET结构设计方法研究

作     者：黄晓橹 HUANG Xiaolu

作者机构：上海华力微电子有限公司研发部上海201203 

基　　金：国家科技重大专项(02专项)资助项目(2011ZX02501) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2012年第42卷第6期

页      码：874-880页

摘      要：详细介绍了三维集成的基本概念,针对二维SoC集成、三维并行TSV集成和三维循序集成的特点进行深入描述和比较。分析了三维循序集成CMOSFET结构的发展现状,包括早期的三维器件级集成设计、基于SOI的平面型CMOSFET三维循序集成设计,以及共包围栅SiNWFET三维循序集成设计。结合各种三维循序集成CMOSFET结构设计方法的特点,提出一种双层隔离三维循序集成SNWFET结构设计方法,为三维集成CMOSFET结构设计提供了一种新的解决方案。

主 题 词：SoC 三维并行集成 三维循序集成 半导体纳米线 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2012.06.029

馆 藏 号：203341382...