射频无线应用的体连接和图形化SOI LDMOSFET的比较

作     者：李文钧 程新红 宋朝瑞 陈展飞 刘军 孙玲玲 Li Wenjun;Cheng Xinhong;Song Zhaorui;Chen Zhanfei;Liu Jun;Sun Lingling

作者机构：杭州电子科技大学微电子CAD研究所杭州310018 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第Z1期

页      码：32-35页

摘      要：设计并制作了一种可应用于无线通信放大器的新型的图形化SOI LDMOSFET.该器件沟道下方的埋氧层是断开的.测试表明,输出特性曲线没有发现明显的翘曲效应,关态的击穿电压达13V,在VG=4V和VD=3.6V时fT为8GHz,直流和射频性能均优于同一芯片上相同工艺条件制备的体接触LDMOSFET.

主 题 词：体接触 图形化SOI LDMOSFET 射频 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.008

馆 藏 号：203346226...