中子辐照SiC_f/SiC复合材料的反冲能谱及空间分布

作     者：郁刚 李晓强 沙建军 郁金南 许淑艳 蔡崇海 

作者机构：中国原子能科学研究院反应堆工程设计研究所北京102413 

出 版 物：《核科学与工程》 (Nuclear Science and Engineering)

年 卷 期：2004年第24卷第2期

页      码：139-143页

摘      要：分析了中子与靶原子的相互作用过程,提出了结合中子输运和核反应耦合模型,采用由蒙特卡罗方法编写的RDSNC程序计算了聚变堆第一壁候选材料SiCf,/SiC在14 MeV和1 MeV中子辐照后的反冲核(初级离位原子)、碎片(核反应发射粒子)、嬗变产物和它们的能谱。表明两者具有完全不同的反冲核、碎片和嬗变产物的能谱,14 MeV中子产生的辐照损伤远远大于1 MeV中子的辐照损伤,并具有大量的嬗变产物。

主 题 词：中子辐照 SiCf/SiC复合材料 弹性散射 非弹性散射 反冲核 嬗变产物 

学科分类：082704[082704] 08[工学] 0827[工学-食品科学与工程类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0258-0918.2004.02.009

馆 藏 号：203346758...