16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化

作     者：安俊明 李健 郜定山 李建光 王红杰 胡雄伟 

作者机构：中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心 

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(G2 0 0 0 0 3 660 2 ) 国家高技术研究发展计划资助项目(2 0 0 2AA3 1 2 2 60 ) 国家自然科学基金资助项目 (6988970 1 ) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2004年第25卷第5期

页      码：345-348,352页

摘      要：　对设计的折射率差为0.75%的16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG),围绕插损和串扰问题,采用广角有限差分束传播方法(FD BPM)进行了数值模拟和优化。通过优化在输入波导、阵列波导的喇叭口,得到了插损为1.5dB、串扰为-48dB的AWG,优化后的指标已达到商用要求。

主 题 词：阵列波导光栅 波分复用 优化 数值模拟 

学科分类：0808[工学-自动化类] 070207[070207] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-5868.2004.05.005

馆 藏 号：203346788...