阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析

作     者：段宝兴 张波 李肇基 Duan Baoxing;Zhang Bo;Li Zhaoji

作者机构：电子科技大学IC设计中心成都610054 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2005年第26卷第7期

页      码：1396-1400页

摘      要：提出了一种阶梯埋氧型SOI(SBOSOI)RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性.优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为3时耐压达到饱和.模拟仿真了比导通电阻和击穿电压,结果表明该结构在埋层厚度为0.2～0.8μm时可使比导通电阻降低40%～50%,耐压提高30%～50%;漂移区厚度小于1μm时比导通电阻降低10%～50%,耐压提高10%～50%.

主 题 词：SOI RESURF结构 阶梯埋氧型SOI 电场调制 比导通电阻 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2005.07.021

馆 藏 号：203347148...