GaAs MMIC的MIM电容Si_3N_4介质的TDDB评价

作     者：黄云 钮利荣 林丽 HUANG Yun;NIU Lirong;LIN Li

作者机构：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 南京电子器件研究所南京210016 华南理工大学应用物理系广州510641 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2005年第25卷第3期

页      码：315-319,356页

摘      要：运用TDDB理论,研究分析了G aA s MM IC的M IM氮化硅电容的导电特性和击穿特性,设计制作了三种对比分析的G aA s MM IC的M IM氮化硅电容结构,通过不同斜率的斜坡电压对氮化硅介质进行了可靠性评价,S i3N4M IM电容的可靠性与其面积和周长密切相关,介质缺陷是导致电容失效的主要因素。通过不同斜率的斜坡电压获得电场加速因子(γ)预计了10 V工作电压下的S i3N4介质层的寿命。

主 题 词：氮化硅电容 时间依赖介质击穿 评价 寿命预计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2005.03.007

馆 藏 号：203347226...