一种高精度CMOS带隙基准电压源设计

作     者：沈菊 宋志棠 刘波 封松林 朱加兵 SHEN Ju;SONG Zhi-tang;LIU Bo;FENG Song-lin;ZHU Jia-bing

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2006CB302700) 国家863计划(2006AA03Z360) 中国科学院(Y2005027) 上海市科委(05JC14076 0552nm043 AM0517 06QA14060 06XD14025 0652nm003 06DZ22017) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2007年第32卷第9期

页      码：792-795页

摘      要：介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路。该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18μm CMOS工艺。Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10～120℃时,温度系数为6.3×10-6/℃,在电源电压为3.0～3.6 V内,电源抑制比为69 dB。该电压基准在相变存储器芯片电路中,用于运放偏置和读出/写驱动电路中所需的高精度电流源电路。

主 题 词：带隙 电压源 温度系数 电源抑制比 互补金属氧化物半导体 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2007.09.015

馆 藏 号：203347774...