超低压ESD保护器件设计与工艺研究

作     者：淮永进 韩郑生 HUAI Yongjin;HAN Zhengsheng

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2008年第28卷第3期

页      码：445-448页

摘      要：介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点,并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1.8～5 V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证,制作出了非常吻合模拟结果的超低压器件,该系列器件具有工作电压低、电容小、漏电小的特点。由于采用新型复合型穿通结构及单片低温减压外延工艺,器件的电参数一致性非常理想,在高速数据线的保护电路中成功地得到应用。

主 题 词：超低压保护器件 静电放电 模拟 复合型穿通结构 瞬态电压抑制器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2008.03.028

馆 藏 号：203348098...