基于平板夹具的电子束蒸发沉积薄膜中的挖坑效应分析

作     者：夏志林 赵元安 黄才华 薛亦渝 杨芳芳 郭培涛 XIA Zhi-lin;ZHAO Yuan-an;HUANG Cai-hua;XUE Yi-yu;YANG Fang-fang;GUO Pei-tao

作者机构：武汉理工大学材料科学与工程学院湖北武汉430070 中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60708004 10804090) 武汉理工大学校自由探索基金资助项目(XJJ2007031) 博士科研启动基金(471-38650322) 

出 版 物：《真空》 (Vacuum)

年 卷 期：2008年第45卷第6期

页      码：12-16页

摘      要：电阻加热具有比较好的加热均匀性，可以认为对于非升华性材料，具有比较理想的平面源发射特性n=1。而电子束加热时，通常n=2～3，甚至可以为6，发射特性参数的范围大，没有取值指导理论或规律，具有很大的不确定性，这对分析薄膜均匀性非常不利。采用细分蒸发源为无数个小的面蒸发源的思想，建立了镀膜材料出现挖坑效应时薄膜厚度均匀性的分析模型。分析结果表明电子束蒸发方法很难获得理想的平面蒸发源，不同程度的挖坑效应将使得n值不同程度地偏离n=1，挖坑效应越明显，n值越大。可以从镀膜机结构设计及薄膜沉积工艺选取两方面着手，降低挖坑效应带来的影响。该研究对认识蒸发源材料发射特性的物理含义具有重要意义，对实验工作同样具有指导性意义。

主 题 词：薄膜 厚度均匀性 挖坑效应 平板夹具 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.13385/j.cnki.vacuum.2008.06.011

馆 藏 号：203348154...