基于InP高Q值微碟谐振腔原理分析及应用

作     者：蒋烽 周剑英 杨建义 江晓清 王明华 JIANG Feng;ZHOU Jianying;YANG Jianyi;JIANG Xiaoqing;WANG Minghua

作者机构：浙江大学信息与电子工程学系浙江杭州310027 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60676028) 

出 版 物：《光学仪器》 (Optical Instruments)

年 卷 期：2008年第30卷第6期

页      码：27-31页

摘      要：对微谐振腔Q值相关机理进行模型分析,提出利用定向耦合原理对微谐振腔和总线波导之间的耦合分析。利用微碟谐振腔的高Q值理论对基于InP半导体材料的光开关设计并进行性能分析,设计的微碟光开关自由频谱范围(FSR)为3.4nm,光开关消光比可达20dB左右。此外负耦合(negative gap)结构使微碟与总线波导耦合的效率明显提高。

主 题 词：微碟谐振腔 高Q值 负耦合 消光比 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-5630.2008.06.006

馆 藏 号：203348189...