GaN HFET沟道中的电子状态转移和非线性研究

作     者：薛舫时 XUE Fangshi

作者机构：单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2009年第29卷第2期

页      码：170-174页

摘      要：从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态,发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层的转移是导致跨导下降、线性变差的主要原因。分别研究了势垒层和沟道结构对波函数渗透和电子态转移的影响。通过势垒层和沟道结构的综合设计获得了在大栅压摆动下保持高跨导和线性的优化结构。提出了剪裁二维能带结构的新工艺方案。

主 题 词：氮化镓 异质结场效应管 非线性 沟道电子态转移 电子波函数渗透 沟道电子布居率 能带剪裁 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2009.02.004

馆 藏 号：203348511...