高阻硅衬底MOS结构共面波导的偏压特性

作     者：陈俊收 胡穆之 赵嘉昊 刘有军 尤政 

作者机构：清华大学精密仪器与机械学系精密测试技术及仪器国家重点实验室北京100084 

基　　金：国家“九七三”重点基础研究项目 

出 版 物：《清华大学学报（自然科学版）》 (Journal of Tsinghua University(Science and Technology))

年 卷 期：2012年第52卷第4期

页      码：425-429页

摘      要：提出一种新型高阻硅(电阻率ρ>8kΩ.cm)衬底MOS(metal-oxide-semiconductor)结构的凸起式共面波导。给出了其在50MHz～40GHz频段的插入损耗和回波损耗测试结果,以及在-40V～+40V直流偏压下散射参数的变化。结果表明,随着偏压的变化,回波损耗在Ka波段极值点的频率和幅值均会产生偏移,插入损耗极值点的频率基本没有偏移,只存在幅值偏移。共面波导的损耗偏移与MOS结构的Si-SiO2界面效应有关,在凸起式共面波导损耗的偏压实验中,观察到与传统MOS结构共面波导相反的曲线,并尝试给出了理论解释。该文设计的共面波导在35GHz下实现了小于-0.010dB/mm的损耗,优于Ka频段硅衬底共面波导已报道的结果。

主 题 词：共面波导 MOS结构 偏压 衰减 损耗 频率偏移 

学科分类：080903[080903] 0810[工学-土木类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0701[理学-数学类] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.16511/j.cnki.qhdxxb.2012.04.015

馆 藏 号：203349821...