基于激光-微波双辐射源少子寿命的测定装置

作     者：何璇 陈长缨 洪岳 张浩 

作者机构：暨南大学光电工程系。广东省高等学校光电信息与传感技术重点实验室广州510632 

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(暨)(11609506) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2012年第33卷第2期

页      码：218-220页

摘      要：单晶硅材料中光生少数载流子寿命是太阳电池设计及生产过程中需要考虑的一个重要参数。基于微波光电导法的测量原理,从单晶硅材料中的电导率和少数载流子浓度的关系着手,提出了一种基于激光-微波双辐射源的硅材料非平衡少数载流子寿命测量系统,实现了对其寿命的初步测量。实验表明,该设计方案具有可行性。

主 题 词：硅 激光 微波 光电导 少数载流子寿命 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2012.02.017

馆 藏 号：203349830...