基于混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法

作     者：李淑萍 林文魁 王德稳 周震华 龚亚飞 Li Shuping;Lin Wenkui;Wang Dewen;Zhou Zhenhua;Gong Yafei

作者机构：苏州工业园区服务外包职业学院江苏苏州215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123 

基　　金：江苏省高等职业院校高级访问工程师计划资助项目(2013-FG012) 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2014年第51卷第7期

页      码：475-478页

摘      要：提出了一种基于投影式光刻机和电子束光刻机混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法,该方法可用于制作对精度要求比较高的亚微米图形。具体的做法是将亚微米图形分解成高精度图层和普通精度图层,并将两个图层分别采用电子束直写和投影式光刻机依次在同一层光刻胶曝光后,经过一次显影得到完整图形。通过该方法不仅可以大幅减少采用电子束直写亚微米图形所需的时间,还可以有效地保证图形的线宽精度。从图形的数据处理和实验制作两个方面,详细地介绍了采用该方法在硅衬底上制作SU-8亚微米图形的过程。经SEM测试得出,本方法制作的图形尺寸精度和棱角的锐度都非常精确,可比较理想地实现设计者的设计要求。

主 题 词：混合曝光技术 亚微米图形 电子束曝光 投影式光刻 SU-8 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13250/j.cnki.wndz.2014.07.012

馆 藏 号：203350938...